Qualcomm a officialisé le modem Snapdragon X24 qui devrait très vraisemblablement équiper le futur Snapdragon 855, gravée en 7 nanomètres (successeur du Snapdragon 845). Les fournisseurs de l’entreprise mentionnent d’ailleurs déjà le SoC et son état d’avancement.

Nous avons récemment pu tester le Snapdragon 845, le tout dernier SoC haut de gamme de Qualcomm. La puce promet d’être surpuissante, ce qui laisse envisager le meilleur pour le futur Samsung Galaxy S9 (même si le modèle européen, lui, aura droit à un Exynos 9810).

Il faut savoir que le Snapdragon 845 est gravé en 10 nanomètres. Dans la foulée, Qualcomm a officialisé un nouveau modem, le Snapdragon X24 qui est le premier à pouvoir atteindre un débit de 2 Gb/s sur le réseau 4G LTE. Et ce modem, lui, est gravé en 7 nanomètres.

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Autrement dit, il ne fait presque aucun doute que le X24 sera intégré dans le prochain SoC ultra-puissant de Qualcomm : le Snapdragon 855 qui sera également gravé en 7 nanomètres. Roland Quandt, source très crédible dans le milieu de la Tech, apporte une nouvelle preuve de cette certitude.

Dans un tweet, il explique que les fournisseurs de Qualcomm parlent déjà du Snapdragon 855. L’un d’entre eux indique ainsi que la puce est en cours de développement et de débogage et confirme également qu’elle sera gravée en 7 nanomètres.

Pour rappel, plus les puces sont miniaturisées, plus l’efficacité énergétique est améliorée. Le Snapdragon 855 devrait donc initier de jolis progrès dans ce domaine.

Pour le Samsung Galaxy S10 ?

Il est encore beaucoup trop tôt pour parler du Samsung Galaxy S10, mais on peut d’ores et déjà supposer qu’il s’agira du premier smartphone à profiter de ce SoC. En attendant, le Snapdragon 845 devrait déjà faire plaisir aux amateurs d’appareils très performants.

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