Samsung Electronics, la branche qui s’occupe de la fabrication de puces pour nos appareils, est décidément très active en cette fin d’année. Elle vient d’annoncer la troisième génération du procédé de gravure en 10 nm et avance déjà sur le procédé en 7 nm.

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Il y a un peu moins d’un mois Samsung annonçait le début de la production en masse de processeurs SoC gravés en 10 nm dans ses usines. Le Exynos 8895 et le Snapdragon 830 devraient être la première génération à en profiter, sauf si Qualcomm change d’avis d’ici là.

Le géant coréen avait d’ores et déjà annoncé que cette première génération, gravé en 10 nm FinFET LPE serait remplacé par une nouvelle génération LPP pendant la seconde moitié de l’année 2017. Aujourd’hui Samsung va plus loin en annonçant déjà une troisième génération : le 10LPU.

Comme le LPP, le LPU apportera des raffinements au procédé de fabrication qui permettra à Samsung d’améliorer la rentabilité de la fabrication. D’après le fabricant il s’agira même du procédé de fabrication en 10 nm le plus rentables du marché. Puisque ce procédé est prévu pour arriver après la seconde génération, elle-même prévu pour la fin de l’année 2017, on imagine que le 10LPU n’arrivera pas avant 2018. On comprend donc que la recherche de rentabilité avec ce nouveau procédé permettra sans doute de généraliser la fabrication des processeurs aux autres gammes de machines plus bon marché.

 

Samsung avance sur le 7nm

Au détour de cette annonce sur le procédé 10LPU, Samsung en a profité pour présenter un nouveau wafer, une plaque de silicium,  gravé en 7nm EUV. Pour le moment le procédé est toujours en cours d’élaboration, mais Samsung veut montrer qu’il sera toujours là pour la prochaine étape et entend bien y arriver le premier.

Le coréen ne s’avance toutefois pas à donner une date pour la sortie de ce nouveau projet.