D’après de nouvelles informations, le Samsung Galaxy S8 pourrait être le premier smartphone à embarquer 8 Go de mémoire RAM. En outre, il se pourrait qu’il soit doté d’une mémoire flash UFS 2.1.

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Les fuites concernant le Samsung Galaxy S8 continuent de s’intensifier en cette fin d’année 2016. La dernière rumeur en date laisse entendre que le futur smartphone du géant sud-coréen sera le premier téléphone au monde à embarquer une mémoire RAM de 8 Go.

Encore une fois, cette information provient du réseau social chinois Weibo et elle a été relayée par MySmartPrice. Aucune preuve ne permet cependant de déterminer si elle est fondée ou non. Néanmoins, à l’origine de cette rumeur se trouve « Ice universe », un internaute chinois qui semble s’être fait un nom dans la divulgation d’informations confidentielles concernant Samsung.

Ansi, si l’on en croit MySmartPrice, il s’agit d’une piste sérieuse — bien qu’elle ne doit pas non plus être prise pour argent comptant.

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Des performances optimales

Si la rumeur s’avère, on peut se demander dans quelle mesure les utilisateurs auraient besoin d’une aussi grande mémoire vive. Les produits haut de gamme à 6 Go semblent déjà largement suffisants.

Il ne fait presque aucun doute désormais que le Galaxy S8 embarquera un Snapdragon 835 dans sa version américaine. Couplé à 8 Go de RAM, le SoC pourrait fournir des performances inégalées et proposer une meilleure gestion des applications en cours, celle-ci étant très agressive sur le Galaxy S7.

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UFS 2.1

D’après cette même source, le Galaxy S8 bénéficierait également d’une mémoire flash UFS 2.1. Jusqu’ici, tous les smartphones de Samsung se contentaient de la version 2.0 du Universal Flash Storage, bien moins rapide. Pour rappel, on s’attend à ce que le futur terminal de la marque dispose d’un espace de stockage allant jusqu’à 256 Go.

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