Le Samsung Galaxy S9 se voit leaké avant l’heure sur la Toile, avec au passage quelques précisions sur ses possibles caractéristiques.

Ce n’est pas une surprise, chaque année le constructeur sud-coréen renouvelle ses différentes gammes d’appareils, à commencer par le haut du secteur. Les prétendus Galaxy S9 et S9+, évolution des S8 et S8+ actuels, pourraient être présentés en début d’année d’après certaines rumeurs.

Pour l’heure, le leaker Benjamin Geskin a publié sur Twitter de plus amples détails à propos des nouveaux flagships. En plus des logos, il apporte des ajouts sur la partie technique. Les Galaxy S9 et S9+ devraient donc embarquer, selon la variante, un SoC Snapdragon 845 gravé en 7 nm (pour le marché américain entre autres) ou une puce maison Exynos 9 en 10 nm (voire 8 nm si la firme utilise sa nouvelle technologie). Le processeur serait dans tous les cas épaulé par 6 Go de mémoire vive ainsi que 128 Go de stockage, toujours extensible via microSD. Enfin, cette nouvelle génération devrait aussi embarquer un double capteur, à l’image du Galaxy Note 8, mais en mieux.

D’après les numéros de modèle listés, une version dual SIM des deux terminaux est prévue pour certains marchés, ce qui ne change pas des habitudes. Du reste, nous savons qu’un écran borderless AMOLED de résolution 2960 x 1440 est prévu, mais cela reste à voir si Samsung aura réussi à intégrer le capteur d’empreintes sous la dalle, ou si le constructeur aura dû revoir sa stratégie en adoptant un meilleur positionnement.

D’autres informations tomberont dans les mois à venir, sachant que Samsung pourrait peut-être devancer la concurrence en officialisant ses Galaxy S9 et S9+ dès janvier.