La division de fonderie de Samsung est fin prête à passer à 2018. La marque a annoncé la mise en production de masse de ses nouvelles puces 10nm FinFET de seconde génération profitant d’une consommation énergétique amoindrie.
Le nerf de la guerre des smartphones ne vient pas tant des appareils en eux-mêmes que des composants qu’ils utilisent. Et à ce jeu, rares sont les fondeurs ayant eu les épaules assez solides pour suivre le rythme de production effréné dont le secteur a besoin.
Samsung s’est rapidement placé sur ce terrain, et est aujourd’hui devenu numéro 1 des fondeurs face à Intel. Sa gravure en 10nm FinFET profite aujourd’hui aussi bien à ses propres SoC Exynos qu’aux Snapdragon de Qualcomm. Mais 2018 pointe déjà le bout de son nez.
Deuxième génération des puces Samsung en 10nm FinFET
C’est dans ce contexte que la marque annonce fièrement le démarrage de la production de masse de ses nouvelles puces 10nm FinFET de seconde génération. Celles-ci profitent de la technologie « 10 LPP (Low Power Plus) », évolution du LPE (Low Power Early) proposé avec sa première génération.
Cette technologie permet au choix un gain de 10 % de performances ou 15 % de consommation énergétique en moins. Sa nouvelle ligne de production S3, basée à Hwaseong en Corée du Sud (photo ci-dessus), rejoint du même temps l’effort de production de l’entreprise.
Une évolution plus qu’une révolution
Ces nouvelles puces sont particulièrement attendues au sein du prochain Exynos 9810, mais aussi du Snapdragon 845. Elles représentent toutefois une évolution en douceur, loin d’un bond en avant pour ces plateformes. Samsung annonce toutefois perfectionner, dans le même temps, sa gravure en 8nm FinFET, assez proche du 10nm.
Ces deux procédés restent toutefois un moyen de gagner du temps avant que la production de puces gravées en 7nm FinFET soit maîtrisée. Celles-ci utilisant une lithographie EUV (Extreme Ultraviolet light), elles occasionneront des gains de performances et de consommation bien plus importants.
Pour aller plus loin
Samsung veut produire des SoC en 7 nm dès 2018
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