Le Samsung Galaxy Note 6 pourrait bien embarquer une puce de mémoire vive de 6 Go, gravée en 10nm, le constructeur en ayant présenté une ce week-end.

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Voilà maintenant quelques semaines que l’on parle d’un certain Samsung Galaxy Note 6, et les rumeurs lui prêtent une fiche technique musclée. Le mobile de grand format – 5,8 pouces probablement – devrait en effet s’équiper d’un processeur Snapdragon 823, mais également de pas moins de 6 Go de mémoire RAM. Une quantité qui se confirme un peu plus aujourd’hui, après l’intervention de Samsung lors d’un évènement mobile en Chine.

En effet, Samsung a présenté une puce de mémoire RAM LPDDR4 de 6 Go. Non seulement cela colle aux premières rumeurs à propos du Note 6, mais cette puce est en plus gravée en 10nm. Ce procédé de gravure devrait permettre aux mobiles concernés d’embarquer plus de mémoire, mais aussi de mieux gérer la consommation énergétique et la chauffe.

Mais faut-il vraiment s’attendre à la voir sur le Note 6 ? Difficile à dire, bien que certains optimistes pensent qu’il s’agira du premier smartphone à l’intégrer. En début d’année, on expliquait que le procédé de gravure en 10nm ne devrait pas permettre de voir les premières puces commerciales avant la fin de l’année 2016 ou le début 2017.

Une période qui coïncide mal avec les dates de sortie évoquées pour le Note 6. Alors que la série Note était d’ordinaire présentée en septembre, et après une absence de sortie du Note 5 l’an passé en Europe, la gamme pourrait être dévoilée au mois d’août.