Une erreur dans le texte ?

C'est le bon endroit pour nous l'indiquer !
Attention, ce formulaire ne doit servir qu'à signaler une erreur. N'hésitez pas à utiliser les commentaires pour donner votre avis, ou la page de contact pour nous contacter. Merci.

Etape 1

Cliquez sur les paragraphes contenant des erreurs !

Plus d'une semaine d'autonomie pour nos smartphones : la promesse ambitieuse de Samsung et IBM

IBM et Samsung ont publié une vidéo sur leur chaîne YouTube pour présenter leur prochaine avancée en matière de design de puces. Il s'agit du Vertical transport field effect transistors (VTFET), une architecture qui permet d'aligner les transistors verticalement, contrairement à la technique actuelle (le FinFET) utilisée même sur les puces les plus avancées, qui aligne les transistors les uns à côté des autres.

Le but du VTFET est simple : augmenter encore la densité pour arriver à des performances plus importantes et une meilleure gestion de l'énergie.

Concrètement, IBM promet tout de même une sacrée avancée en matière d’autonomie. « Les batteries de smartphones » avec de telles puces pourraient « tenir plus d'une semaine plutôt que quelques jours. » Le gain de place permettrait aussi d'ouvrir de nouvelles portes en matière d'internet des objets. IBM cite par exemple des applications sur des véhicules autonomes, des vaisseaux spatiaux, mais aussi pourquoi pas des bouées. Le minage de cryptomonnaies pourrait aussi devenir moins énergivore, avance IBM.

The next big thing

Vous nous direz : c'est un peu le jeu de chaque architecture, promettre une amélioration substantielle à chaque génération. Mais selon IBM et Samsung, il s'agit ni plus ni moins que d'une « avancée majeure » qui aurait « le potentiel de réduire la consommation d'énergie de 85 % » par rapport à un design traditionnel.

IBM avance également que le VTFET « offre une voie pour la continuation de la loi de Moore » qui promet que le nombre de transistors par puce double chaque année. En effet, IBM avance que ce nouveau design permettrait, en théorie, d'aller encore plus loin que son propre design en 2 nm présenté plus tôt dans l'année. Après avoir repoussé les limites de ce qu'on peut caser sur un espace horizontal, il paraît en effet logique de chercher à empiler des transistors les uns sur les autres.

Un signe qui ne trompe pas lorsqu'on cherche à savoir si une technologie à de l'avenir ou non, c'est de voir si la concurrence cherche à avoir sa part du gâteau ou non. Et comme le rapporte The Verge, Intel travaillerait actuellement sur une solution similaire.