Intel a dévoilé un nouveau type de technologie de mémoire, jusqu’à 1000 fois plus rapide que la mémoire NAND Flash utilisée dans les cartes mémoires et les stockages SSD.

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Cette innovation se nomme 3D Xpoint, et c’est l’invention d’Intel et de Micron. D’ailleurs, l’entreprise américaine de Santa Clara a déclaré qu’il s’agissait du fruit d’un travail de recherche de plus de 10 ans. La grande majorité des experts évoque un « grand pas en avant », même si d’autres technologies équivalentes sont en cours de développement.

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Un des points importants de cette annonce, c’est la capacité d’Intel à commencer la production de masse en 2016, l’année prochaine. Cette mémoire pourrait même remplacer la mémoire vive de nos appareils, ainsi que les composants de stockage, à savoir la mémoire Flash (SDD et autres) et les HDD. Les chiffres annoncés sont démesurés : une densité 10 fois supérieure à de la DRAM classique et une vitesse 10 fois supérieure à la mémoire de type NAND Flash. Imaginez l’impact dans nos smartphones…  les constructeurs pourront incorporer 10 fois plus de mémoire à surface égale ou a contrario réduire la place consacrée à la mémoire pour libérer de l’espace, en particulier pour les batteries. J’oubliais : elle supporte également un cycle de 10 millions d’écriture contre 10 000 pour les NAND Flash.

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La technologie d’Intel et Micron est constituée d’une structure 3D, avec des nappes de fils. Dans chaque couche, les fils sont parallèles les uns aux autres, et à angle droit par rapport à ceux de la couche inférieure. Entre chaque couche se trouvent des colonnes qui relient les intersections des fils. Chacune de ces colonnes contient une cellule de mémoire, qui peut stocker un seul bit de données (un un ou un zéro en code binaire). Vous aurez ainsi remarqué que 3D XPoint élimine l’usage des transistors, que l’on retrouve au cœur des puces NAND. Contrairement à la mémoire Flash, chaque cellule de mémoire peut être adressée individuellement, ce qui a pour but d’accélérer radicalement les choses. Enfin, la nouvelle technologie présente également l’avantage supplémentaire d’être non volatile, ce qui signifie qu’elle ne peut pas «oublier» l’information lorsque son alimentation est coupée, contrairement à la mémoire DRAM. Ses caractéristiques font que cette nouvelle mémoire pourrait remplacer à la fois la mémoire RAM et la mémoire de stockage et ainsi permettre de repenser intégralement les serveurs, ordinateurs, tablettes et smartphones.

3D XPoint ne devrait pas supplanter si vite les technologies actuelles, pour une simple et bonne raison : son prix (mais aussi la capacité de production). En attendant, la technologie d’Intel et Micron pourrait se trouver une place intermédiaire, entre la DRAM et la mémoire de type NAND Flash, ce qui aurait pour conséquences d’améliorer la vitesse d’accès aux données, et la fiabilité de nos appareils.

Les applications de cette technologie sont très nombreuses : de la recherche, en passant par l’analyse financière, les jeux massivement multijoueur, mais aussi l’arrivée du contenu multimédia en très haute définition. Excitant.