Samsung vient d’annoncer la production de masse de modules de 256 Go de mémoire flash UFS 2.0 à destination des smartphones et des tablettes. De quoi permettre d’annoncer d’ici un an un probable Galaxy S8, ou pourquoi pas un Galaxy Note 6, dotés de 256 Go de stockage.

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En février 2015, Samsung débutait la production de masse des modules de mémoire flash UFS 2.0 dans des capacités de 32, 64 et 128 Go. Quelques jours plus tard, le géant coréen dévoilait le Galaxy S6 justement équipé de ces modules de mémoire. Cette année, Samsung a réalisé à peu près les mêmes annonces, mais en sens inverse. Ainsi, dimanche dernier, le géant coréen a dévoilé les Galaxy S7 et S7 edge, avec des modules de mémoire UFS 2.0 de 32, 64 et 128 Go et ce matin, Samsung dévoile la nouvelle génération de modules UFS 2.0 dotés d’une capacité de 256 Go et destinée « à la future génération de terminaux mobiles haut de gamme ».

On imagine donc que le Galaxy S7 ne verra jamais ce module, et qu’il sera réservé au Galaxy S8 qui devrait, en toute logique, être annoncé dans un an, ou peut-être au futur Galaxy Note 6 qui pourrait arriver dans les prochains mois.

 

Un débit impressionnant

En termes de performances, le nouveau module surpasse nettement ceux de l’année dernière, avec 45 000 et 40 000 IOPS (opérations par seconde) en lecture et écriture aléatoire, contre 19 000 et 14 000 pour les puces qu’on trouve dans le Galaxy S7. Les débits sont aussi monstrueux puisque Samsung annonce une vitesse de lecture séquentielle de 850 Mo/s contre 260 Mo/s en écriture séquentielle, ce qui s’approche de la bande passante maximale de l’UFS 2.0, qui est de 1,2 Go/s. Mais à quoi peut bien servir toute cette puissance ?

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L’USB 3.0 en approche

Samsung pense à l’USB 3.0, qui n’équipe pour le moment quasiment aucun smartphone, notamment à cause des interférences. L’USB Type-C était censé corriger ce problème, mais ce port est encore aux abonnés absents dans la majorité des cas, notamment chez Samsung, comme nous l’a expliqué le constructeur en invoquant d’obscures raisons. Le géant coréen parle pourtant du « futur avènement de l’USB 3.0 dans les terminaux mobiles qui permettra des transferts de données beaucoup plus rapides ». Samsung prend l’exemple d’une vidéo de 5 Go qui ne prendrait que 12 secondes à s’échanger d’un terminal à l’autre. Enfin un port USB Type-C en USB 3.0 sur le Galaxy S8 ?

 

V-NAND 3D

Pour les plus curieux, les modules de mémoire UFS 2.0 de Samsung utilisent les dernières puces de mémoire flash V-NAND du géant coréen, ce qui doit donc correspondre aux puces 3D empilant jusqu’à 48 couches de mémoire flash et utilisant la mémoire TLC pour stocker 3 bits par cellule.