Samsung a investi 1 milliard de dollars pour renforcer son usine de semiconducteurs aux États-Unis. Parmi les objectifs : graver une puce en 4 nanomètres dès 2020.

Samsung ne fait pas que des smartphones. L’entreprise s’occupe aussi de concevoir les puces que l’on trouve à l’intérieur. Et dans ce secteur, le géant sud-coréen mise beaucoup d’argent. D’après The Investor, le conglomérat vient d’investir 1 milliard de dollars supplémentaires dans son usine de semiconducteurs à Austin (Texas), aux États-Unis.

Cette infrastructure, qui s’occupe également de la R&D, a déjà reçu 16 milliards de dollars de la part de la maison-mère depuis sa création en 1997. Samsung veut ainsi préparer la « quatrième révolution industrielle », écrit The Investor. Comprenez : le processus qui va nous plonger dans l’ère de l’Internet des objets globalisé (IoT).

Samsung veut ainsi fournir des SoC plus rapides et efficaces « pour des objets intelligents et connectés avec des écrans always-on display ». Et si vous vous posiez la question, la troisième révolution industrielle, c’est la révolution numérique.

Objectif : graver en 4 nm en 2020

Par ailleurs, Samsung veut aussi graver des puces en 4 nanomètres à partir de 2020, en passant par des gravures en 7 nanomètres dès l’année prochaine. Pour rappel, la firme sud-coréenne fabrique les Snapdragon 835 de Qualcomm et ses propres Exynos 8895 qui équipent les Galaxy S8. Ces plateformes sont gravées en 10 nanomètres.

Logiquement, si tout fonctionne correctement, on pourrait ainsi avoir droit à un Galaxy S11 embarquant un SoC en 4 nanomètres. Celui-ci sera donc beaucoup plus performant et disposerait d’une meilleure efficacité énergétique. Rappelons, par ailleurs, que de son côté, IBM a déjà dévoilé un processus de fabrication permettant la gravure en 5 nanomètres. Progrès constant.