Face à TSMC, premier fondeur indépendant au monde, Samsung Foundry continue d’avancer sans trembler. Un peu moins de deux ans après l’introduction de ses premières puces gravées en 3 nm GAA (gate-all-around), la filiale de Samsung Electronics, dévolue à la conception de semi-conducteurs, serait parfaitement en phase avec son planning initial quant au lancement de la seconde génération de son processus de gravure en 3 nm.
Comme le rappelle TechSpot, la firme avait indiqué en fin d’année dernière avoir pour projet d’entamer la production en masse de puces basées sur son protocole 3 nm « SF3 » sur le second semestre 2024. L’idée était alors d’en lancer la production parallèlement au nouveau processus « HPC » voué pour sa part à la gravure en 4 nm.
On apprend cette semaine que ce double objectif devrait bel et bien se concrétiser sur la période annoncée. Mieux : Samsung Foundry aurait déjà entamé des tests à l’aide de prototype de production.
Samsung Foundry dans les starting-blocks
Dans le détail, Samsung Foundry chercherait actuellement à tester les performances et la fiabilité des puces obtenues avec son nouveau protocole 3 nm SF3. Le groupe aurait aussi pour objectif d’atteindre un rendement supérieur à 60 %, en faveur de cette seconde génération de gravure en 3 nm, au cours des 6 prochains mois.
Sur le plan technique, le procédé 3 nm SF3 s’appuie sur la précédente technologie 3 nm GAA, lancée par Samsung durant l’été 2022, et désignée « SF3E » en interne, mais en y apportant des optimisations importantes. Par rapport à la technique 3 nm GAA actuelle de Samsung Foundry, le protocole SF3 est censé offrir des performances supérieures de 22 %, et ce à consommation et nombre de transistors identiques ; ou alors une réduction de 34 % de la consommation finale de la puce pour des performances équivalentes à l’ancienne génération. Ce nouveau procédé devrait également permettre de réduire légèrement (par 0,79 x) la surface occupée par les puces 3 nm au sein des appareils qui en seront équipés.
Il s’agira vraisemblablement d’un avantage intéressant pour la Galaxy Watch 7, qui devrait être le premier produit équipé d’une puce gravée en 3 nm SF3. Par la suite, on peut imaginer que cette technologie sera aussi employée pour graver les processeurs Exynos 2500 des futurs Galaxy S25, attendus l’année prochaine.
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