Samsung riposte contre TSMC en lançant la production de puces 3 nm

Samsung s'appuie sur de nouvelles bases technologiques

 

C'est la même rengaine à intervalles réguliers : Samsung annonce une nouvelle finesse de gravure qui lui permet de concurrencer son éternel rival TSMC. Cette semaine, la firme indique ainsi avoir lancé la production de ses premières puces 3 nm, basées sur une nouvelle architecture de transistors.

Samsung 3 nm
Samsung a donné le coup d’envoi pour la production de ses nouvelles puces 3 nm sur le site de Hwaseong // Source : Samsung Newsroom

Avec quelques mois de retard sur son planning initial, Samsung produit désormais des puces gravées selon son nouveau procédé 3 nm. C’est ce que l’on apprend d’un communiqué partagé par le groupe ce 30 juin. En l’occurrence, Samsung Foundry a lancé la production dans son usine de Hwaseong, au sud de Séoul, et en exploitant pour la première fois sa nouvelle architecture de transistors. Le groupe passe en effet de la traditionnelle technologie FinFet (fin field-effect transistor) au design MBCFET (variante, conçue par Samsung, du GAA « Gate all around ») pour booster l’efficacité énergétique des puces 3 nm.

Cette double évolution technologique (passage au 3 nm + passage au MBCFET) est importante pour Samsung. Elle pourrait en effet lui permettre de revenir dans la course face au Taïwanais TSMC, son principal concurrent au royaume des fonderies indépendantes. Car si ce dernier doit bien lancer la production de puces 3 nm cette année aussi, il ne prévoit de passer à l’architecture GAA qu’avec sa gravure en 2 nm, toujours en développement.

Samsung Foundry légèrement en avance (pour une fois) ?

Au travers de cette progression technique, Samsung promet 23 % de performances en plus par rapport à son ancien procédé 5 nm, une réduction de la consommation pouvant atteindre 45 %, et une réduction de 16 % de la taille des puces. Une première étape pour le groupe qui souhaite évidemment aller bien plus loin avec sa seconde génération de puces 3 nm. Ces dernières devraient pour leur part raboter la consommation de 5 % supplémentaires, passer à 30 % de performances en plus vis-à-vis du 5 nm et tenir sur des puces 35 % plus petites.

3nm Samsung
Source : Samsung

Pour rappel, Samsung avait eu des difficultés avec sa gravure en 4 nm (dérivée du node 5 nm). Utilisée notamment sur les Snapdragon 8 Gen 1, elle avait posé problème sur le plan de la consommation, avec une efficacité énergétique inférieure aux procédés équivalents de TSMC. Qualcomm a d’ailleurs choisi d’utiliser la gravure 4 nm du géant taïwanais pour son récent Snapdragon 8 Gen 1 Plus, lancé le mois dernier. Un signal qui n’a probablement pas échappé à Samsung.

En ce qui concerne la nouvelle gravure 3 nm du groupe coréen, PhoneArena estime qu’elle fera ses armes sur le futur Exynos 2300. Nous verrons alors si cette nouveauté technique permet aux puces Exynos de regagner en popularité auprès des utilisateurs avides de performances.


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