En tant que fabricant de composants, Samsung produit nombre d’éléments destinés aux terminaux mobiles, dont évidemment les siens. Les prochaines générations de terminaux du Coréen pourraient être équipés de sa nouvelle mémoire flash V-NAND, Samsung venant d’en annoncer la mise en production.

V-NAND

La promesse de la nouvelle génération de mémoire flash de Samsung n’est pas anodine : il s’agit de proposer un élément de stockage à la fois plus rapide et plus durable que ses précédentes unités de mémoire flash. La mémoire V-NAND serait capable de multiplier par deux la rapidité des mémoires flash mobiles actuelles, et par dix leur durée de vie.

La V-NAND n’est autre qu’une puce NAND verticale, qui ne s’appuie plus seulement sur une finesse extrême de la gravure, désormais limitée à environ 10 nm. Il s’agit ici de cumuler jusqu’à 24 cellules en couches verticales formant une « nouvelle structure 3D qui a été développée avec succès. Pour ce faire, Samsung a refondu son architecture CTF, qui a été développée pour la première fois en 2006« . Une telle approche devrait faire de la 3D V-NAND la mémoire flash la plus dense du marché, puisque les cellules ne sont plus réparties sur un plan 2D, mais en trois dimensions.

La division Semiconducteurs de Samsung vient d’annoncer la mise en production de masse de sa mémoire flash V-NAND, d’ores et déjà déclinée en version 16 Go et en cours de test chez les clients de Samsung. On devrait voir arriver cette mémoire V-NAND dans des terminaux mobiles grand public d’ici le début de l’année 2014. Le Coréen devrait cependant avoir affaire à une rude concurrence sur ce secteur, puisque certaines marques annoncent leurs intentions dans le domaine des semiconducteurs : Toshiba, qui souhaite afficher une croissance en hausse de 20 % d’ici 2015, mise sur de nouvelles unités de mémoire flash NAND gravées en 16 à 17 nm et pour les terminaux mobiles. Pour ce faire, la marque compte investir 400 millions de yens (plus de trois millions d’euros) en partenariat avec SanDisk.