Cette avancée signée SK Hynix transformerait comment nos smartphones gèrent l’IA

La nouvelle nous vient du média ETNews. Le fabricant coréen de mémoire SK Hynix serait à l’origine d’une avancée particulièrement prometteuse pour la mémoire embarquée dans nos smartphones et tablettes. On apprend que la firme aurait réussi à combiner dans un seul module mémoire haute efficacité, des puces hétéroclites de types DRAM et NAND.

En l’occurrence, cette percée serait permise par l’utilisation de la nouvelle architecture hybride High-Bandwidth Storage (HBS) de SK Hynix, mais aussi par l’utilisation de son nouveau procédé Vertical Wire Fan-Out (VFO), qui permet d’empiler verticalement, et d’interconnecter, jusqu’à 16 couches de mémoire DRAM et NAND.

Des modules capables de doper l’IA sur nos smartphones ?

Cet empilement vertical de puces DRAM et NAND a notamment pour avantage de réduire la perte de signal, mais aussi la distance de transmission. La connexion entre les différentes puces empilées les unes sur les autres se fait en effet en ligne droite plutôt qu’avec le filage sinueux des modules traditionnels.

SK Hynix parle d’ailleurs de besoins en câblage 4,6 fois inférieurs avec cette nouvelle technologie, d’une consommation énergétique 5% plus faible et d’une dissipation de chaleur améliorée à hauteur de 1,4%.

Cette méthode d’assemblage permettrait d’aboutir à un module hétérogène hyper performant, capable de réduire nettement le temps de traitement des données et d’augmenter sa bande-passante, tout en se montrant un peu plus efficace encore sur le plan énergétique.

De nouvelles puces attendues en grands volumes

Comme le souligne NotebookCheck, ce nouveau type de mémoire n’est pas sans rappeler la mémoire HBM employée massivement sur les GPUs voués au marché des serveurs et des data-centers. Son utilisation dans les prochaines générations de smartphones et de tablettes devrait donc permettre d’améliorer significativement les performances en IA.

La bonne nouvelle est aussi à chercher en termes de production. Ce nouveau type de mémoire a été pensé dès le départ pour éviter les modes de production coûteux comme le Through-Silicon Via (TSV). Cela devrait donc permettre une production plus aisée et plus abordable, pour permettre à ces nouveaux modules d’envahir le marché. On sait par ailleurs que SK Hynix s’est fait la main en matière de module à conception VFO en les fabricant en petits volumes… pour un certain Apple Vision Pro.