Le stockage de votre futur smartphone va faire un bond de géant (et consommer moins)

 
Nouveau standard, l’UFS 5.0 va booster les performances du stockage de nos appareils mobiles. Dévoilé par Samsung, c’est une première dans l’industrie.

Samsung dévoile la première solution de stockage UFS 5.0. Conçue pour répondre aux exigences de l’intelligence artificielle en local, cette nouvelle génération de mémoire flash double les débits par rapport à la génération précédente tout en réduisant la consommation énergétique et les dimensions physiques. Elle est en cours de production et devrait équiper les futurs smartphones haut de gamme dès le début de l’année 2027.

Des débits doublés pour éliminer les goulets d’étranglement

Selon Jangseok Choi, responsable de la planification des produits de mémoire chez Samsung Electronics : « À l’ère de l’IA sur l’appareil, les composants de stockage évoluent pour devenir un moteur clé définissant les expériences d’IA. » De fait, ces débits élevés visent à accélérer le traitement local des modèles de langage étendus (LLM).

En pratique, l’UFS 5.0 atteint une vitesse de lecture séquentielle maximale de 10,8 Go/s et une vitesse d’écriture séquentielle atteignant 9,5 Go/s. À titre de comparaison, la génération précédente, l’UFS 4.1, affiche une vitesse de lecture de 4,3 Go/s et d’écriture de 4,3 Go/s. Les vitesses sont donc plus que doublées avec la nouvelle génération.

Attention, on parle ici d’opérations séquentielles. Les performances en IOPS (opérations d’entrée-sortie par seconde) pourraient ne pas progresser dans les mêmes proportions, ce qui limiterait le gain perçu par l’utilisateur final sur certaines tâches spécifiques.

Une efficacité énergétique en hausse dans un format miniature

Au-delà des débits bruts, Samsung annonce aussi une amélioration de l’efficacité énergétique de l’ordre de 40 % par rapport à l’UFS 4.1, à performances de lecture équivalentes. Ce gain s’appuie sur l’introduction de plusieurs innovations techniques, notamment le « clock gating » (blocage d’horloge) et des technologies multi-tensions. Cela permet de réduire les dépenses énergétiques superflues lors des transferts de données volumineux.

Côté intégration matérielle, les puces adoptent un boîtier plus compact. avec une diminution de surface et de volume de 16,7 % par rapport à la génération actuelle. De quoi laisser plus de place à d’autres composants, comme la batterie.

Disponibilité et intégration dans les prochains processeurs

La production de masse de ces puces UFS 5.0 débutera au quatrième trimestre 2026. Samsung prévoit de proposer plusieurs capacités de stockage allant jusqu’à 1 To. Les applications visées englobent les smartphones haut de gamme, les wearables (comme les montres et bracelets connectées), les casques de réalité étendue (XR) et les systèmes embarqués automobiles.

Sur le plan des puces mobiles, des fuites partagées par le leaker Reptalica indiquent que Qualcomm a déjà verrouillé le support de cette technologie pour ses prochains processeurs haut de gamme codés SM8950 (Snapdragon 8 Elite Gen 6) et SM8975 (Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro).

Le leaker Ice Universe anticipe également une compatibilité avec le futur SoC Exynos 2700 de Samsung, attendu aux côtés de la mémoire vive LPDDR6. Ces éléments convergent vers une intégration de l’UFS 5.0 au sein de la future gamme Samsung Galaxy S27 prévue pour le début de l’année 2027.


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