
Samsung dĂ©voile la première solution de stockage UFS 5.0. Conçue pour rĂ©pondre aux exigences de l’intelligence artificielle en local, cette nouvelle gĂ©nĂ©ration de mĂ©moire flash double les dĂ©bits par rapport Ă la gĂ©nĂ©ration prĂ©cĂ©dente tout en rĂ©duisant la consommation Ă©nergĂ©tique et les dimensions physiques. Elle est en cours de production et devrait Ă©quiper les futurs smartphones haut de gamme dès le dĂ©but de l’annĂ©e 2027.
Des débits doublés pour éliminer les goulets d’étranglement
Selon Jangseok Choi, responsable de la planification des produits de mĂ©moire chez Samsung Electronics : « Ă€ l’ère de l’IA sur l’appareil, les composants de stockage Ă©voluent pour devenir un moteur clĂ© dĂ©finissant les expĂ©riences d’IA. » De fait, ces dĂ©bits Ă©levĂ©s visent Ă accĂ©lĂ©rer le traitement local des modèles de langage Ă©tendus (LLM).

En pratique, l’UFS 5.0 atteint une vitesse de lecture sĂ©quentielle maximale de 10,8 Go/s et une vitesse d’Ă©criture sĂ©quentielle atteignant 9,5 Go/s. Ă€ titre de comparaison, la gĂ©nĂ©ration prĂ©cĂ©dente, l’UFS 4.1, affiche une vitesse de lecture de 4,3 Go/s et d’Ă©criture de 4,3 Go/s. Les vitesses sont donc plus que doublĂ©es avec la nouvelle gĂ©nĂ©ration.
Attention, on parle ici d’opĂ©rations sĂ©quentielles. Les performances en IOPS (opĂ©rations d’entrĂ©e-sortie par seconde) pourraient ne pas progresser dans les mĂŞmes proportions, ce qui limiterait le gain perçu par l’utilisateur final sur certaines tâches spĂ©cifiques.
Une efficacité énergétique en hausse dans un format miniature
Au-delĂ des dĂ©bits bruts, Samsung annonce aussi une amĂ©lioration de l’efficacitĂ© Ă©nergĂ©tique de l’ordre de 40 % par rapport Ă l’UFS 4.1, Ă performances de lecture Ă©quivalentes. Ce gain s’appuie sur l’introduction de plusieurs innovations techniques, notamment le « clock gating » (blocage d’horloge) et des technologies multi-tensions. Cela permet de rĂ©duire les dĂ©penses Ă©nergĂ©tiques superflues lors des transferts de donnĂ©es volumineux.

CĂ´tĂ© intĂ©gration matĂ©rielle, les puces adoptent un boĂ®tier plus compact. avec une diminution de surface et de volume de 16,7 % par rapport Ă la gĂ©nĂ©ration actuelle. De quoi laisser plus de place Ă d’autres composants, comme la batterie.
Disponibilité et intégration dans les prochains processeurs
La production de masse de ces puces UFS 5.0 dĂ©butera au quatrième trimestre 2026. Samsung prĂ©voit de proposer plusieurs capacitĂ©s de stockage allant jusqu’Ă 1 To. Les applications visĂ©es englobent les smartphones haut de gamme, les wearables (comme les montres et bracelets connectĂ©es), les casques de rĂ©alitĂ© Ă©tendue (XR) et les systèmes embarquĂ©s automobiles.
Sur le plan des puces mobiles, des fuites partagées par le leaker Reptalica indiquent que Qualcomm a déjà verrouillé le support de cette technologie pour ses prochains processeurs haut de gamme codés SM8950 (Snapdragon 8 Elite Gen 6) et SM8975 (Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro).
Le leaker Ice Universe anticipe Ă©galement une compatibilitĂ© avec le futur SoC Exynos 2700 de Samsung, attendu aux cĂ´tĂ©s de la mĂ©moire vive LPDDR6. Ces Ă©lĂ©ments convergent vers une intĂ©gration de l’UFS 5.0 au sein de la future gamme Samsung Galaxy S27 prĂ©vue pour le dĂ©but de l’annĂ©e 2027.
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