
Une fiche produit publiée par erreur, puis retirée en catastrophe : c’est comme ça qu’on découvre le prochain SSD de Samsung. La marque a fait apparaître quelques jours sur son site canadien un nouveau modèle de sa gamme 990, sans suffixe EVO ni PRO. Le temps de la retirer, les images et les caractéristiques étaient déjà dans la nature.

D’après la fuite repérée par Guru3D, ce SSD s’appelle sobrement Samsung 990 et existe en versions 1 ou 2 téraoctets. Son intérêt : il vise le bas du panier, un cran sous les 990 EVO et 990 PRO, dans un contexte de flambée des prix du stockage. Pour y arriver, Samsung a rogné sur un composant qu’on ne voit jamais mais qui compte : la mémoire cache DRAM.

Pas de cache DRAM : ce que ça change vraiment
La DRAM, sur un SSD, sert de mémoire tampon ultra-rapide où le disque garde la table qui indique où chaque donnée est rangée dans la mémoire flash. Le 990 s’en passe. À la place, il utilise la technologie HMB (Host Memory Buffer), qui emprunte une petite portion de la RAM de l’ordinateur, quelques dizaines de mégaoctets, pour stocker ces informations. Concrètement, il garde une forme de cache au lieu de s’en priver totalement comme les SSD vraiment premier prix.
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Le HMB reste un compromis. Ça suffit pour un usage courant, mais un SSD sans DRAM atteint ses limites plus vite sur les gros transferts de fichiers, avec des vitesses d’écriture qui décrochent plus souvent.

Samsung n’invente rien : le 990 Evo tournait déjà sans DRAM, avec le contrôleur Piccolo. Ici, la référence S4LY028, surnommée PiccoloQ selon des sources non confirmées, semble taillée pour les SSD QLC sans cache. Cette étape marque une vraie différence avec le 990 PRO haut de gamme, qui embarque lui de la vraie DRAM.
Rapide sur le papier, mais une endurance en retrait
La fiche annonce jusqu’à 7 150 mégaoctets par seconde en lecture et 6 450 Mo/s en écriture via l’interface PCIe 4.0. Sur le papier, on est proche des SSD PCIe 4.0 grand public actuels, donc rien d’inquiétant côté débit. Le détail qui pique, c’est l’endurance. Samsung annonce 400 To d’écriture totale (TBW) pour le modèle 1 To et 800 To pour le 2 To. C’est modeste : le 990 EVO 1 To est donné pour 600 To, soit 50 % de plus.
Ce chiffre en retrait laisse deviner de la mémoire flash QLC, qui stocke quatre bits par cellule. Avantage : une grosse densité de stockage pour un coût de fabrication bas. Inconvénient : une durée de vie inférieure aux puces TLC qu’on trouve sur les 990 EVO et PRO. Samsung n’a d’ailleurs pas précisé le type de flash sur sa fiche, mais l’endurance annoncée va dans ce sens. Pour retrouver toutes les déclinaisons de la gamme, on suit ça de près du côté du 990 Pro.
Côté prix, rien d’officiel. Mais une recherche Google fait ressortir un tarif de 155 dollars canadiens pour la version 1 To, soit environ 96 euros, apparemment relevé sur le site canadien de Samsung. Avec la taxe québécoise d’environ 15 %, on grimpe à 179 dollars canadiens, autour de 111 euros. Dans les deux cas, c’est nettement sous les 990 Evo et 990 Pro.
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