Les rumeurs annonçaient 1 To sur une édition du Galaxy S10, Samsung vient d’officialiser ce nouveau stockage à quelques semaines de l’annonce de son nouveau flasgship.

Samsung, qui conçoit également des composants dédiés au stockage, vient d’officialiser sa nouvelle solution eUFS. La mémoire flash Universal Flash Storage produite par Samsung pourra désormais aller jusqu’à 1 To, et il est fort probable que Samsung Electronics soit le premier constructeur de smartphones à bénéficier de cette nouvelle option.

La nouvelle mémoire eUFS 2.1 de 1 To possède les mêmes dimensions (11,5 mm x 13 mm) que la mémoire de 512 Go et elle est réalisée en combinant 16 couches empilées de mémoire flash V-NAND 512 gigabits et un contrôleur dédié.

Samsung annonce au passage quelques chiffres assez fous qui devraient permettre d’améliorer la prise de vue rapide et la fonction super ralenti (960 images par seconde) des smartphones : jusqu’à 1000 MB/s en vitesse de lecture séquentielle et jusqu’à 58 000 IOPS en lecture aléatoire.

La société a également annoncé qu’elle augmentera la production de la mémoire flash eUFS de 512 Go dans son usine de Pyeongtaek en Corée du Sud au cours du premier semestre 2019 pour répondre à la forte demande sur la mémoire 512 Go. Samsung, le plus grand fabricant de puces mémoire du monde, a enregistré des bénéfices records grâce à une demande incroyablement élevée au cours des deux dernières années, mais les bénéfices ont chuté au quatrième trimestre de l’année dernière en raison de la baisse de la demande.

Samsung Galaxy S10 : attendu pour février

Il est désormais fort probable que le Samsung Galaxy S10, officialisé courant février, profite de cette nouvelle option. Pour rappel, le Galaxy Note 9 peut déjà accueillir 512 Go de mémoire flash en plus d’une microSD jusqu’à 512 Go.

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