En tant que fabricant de composants, Samsung produit nombre d’éléments destinés aux terminaux mobiles, dont évidemment les siens. Les prochaines générations de terminaux du Coréen pourraient être équipés de sa nouvelle mémoire flash V-NAND, Samsung venant d’en annoncer la mise en production.
La promesse de la nouvelle génération de mémoire flash de Samsung n’est pas anodine : il s’agit de proposer un élément de stockage à la fois plus rapide et plus durable que ses précédentes unités de mémoire flash. La mémoire V-NAND serait capable de multiplier par deux la rapidité des mémoires flash mobiles actuelles, et par dix leur durée de vie.
La V-NAND n’est autre qu’une puce NAND verticale, qui ne s’appuie plus seulement sur une finesse extrême de la gravure, désormais limitée à environ 10 nm. Il s’agit ici de cumuler jusqu’à 24 cellules en couches verticales formant une « nouvelle structure 3D qui a été développée avec succès. Pour ce faire, Samsung a refondu son architecture CTF, qui a été développée pour la première fois en 2006« . Une telle approche devrait faire de la 3D V-NAND la mémoire flash la plus dense du marché, puisque les cellules ne sont plus réparties sur un plan 2D, mais en trois dimensions.
La division Semiconducteurs de Samsung vient d’annoncer la mise en production de masse de sa mémoire flash V-NAND, d’ores et déjà déclinée en version 16 Go et en cours de test chez les clients de Samsung. On devrait voir arriver cette mémoire V-NAND dans des terminaux mobiles grand public d’ici le début de l’année 2014. Le Coréen devrait cependant avoir affaire à une rude concurrence sur ce secteur, puisque certaines marques annoncent leurs intentions dans le domaine des semiconducteurs : Toshiba, qui souhaite afficher une croissance en hausse de 20 % d’ici 2015, mise sur de nouvelles unités de mémoire flash NAND gravées en 16 à 17 nm et pour les terminaux mobiles. Pour ce faire, la marque compte investir 400 millions de yens (plus de trois millions d’euros) en partenariat avec SanDisk.
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inutile... avec la maitrise de la rram, ces puces vont etre obsolète dans 1-2ans --'
Oui mais en terme de constructeurs de smartphone?
Plein d'autres labos / sociétés font de la recherche dans des domaines variés : verre, batterie, RAM, CPU, GPU ... Ici, on parle souvent de Samsung parce que c'est aussi un vendeur de téléphone donc çà apporte plus de click sur la news. Sinon, y a plein de sites d'actu sur la R&D en électronique de manière générale pour se tenir au courant des futurs avancées (et pas que téléphonie).
Par ce qu'ils ont certainement un des plus gros centres de R&D
16Go la couche et jusqu'a 24 couche donc soit 192Go
"d’ores et déjà déclinée en version 16 Go" Quoi 16Go seulement? C'est quoi ce manque d'ambition, 32Go minimum pour des puces HDG de 2014...
je n'avais pas fais gaffe autant pour moi ^^
Oui "<4.3" signifie "Inferieur 4.3" ^^
Qui d'autre fait quoi comme avancée dans la technologie mobile? Pourquoi on entend parler que de Samsung?
Nan c'est l'inverse la fonction TRIM est dispo dans la version 4.3
Hum. Des puces en structure 3D à partir de méthode «top down». J'aimerai bien savoir comment ils procèdent.
"Multiplier par 10 la durée de vie de ses mémoires", je doute BEAUCOUP que Samsung ait envie de cela... Obscolescence programmée, toussa... (Ici, propriétaire d'un galaxy nexus en fin de vie, qui lag monstrueusement à cause de la mémoire pourrie + l'absence de TRIM dans Android <4.3...)
C est bien tout ça, mais si c est pour nous offrir au final une memoire flash de16 ou 32 Go comme le cas aujourd hui, c est pas la peine ^_^
Avec les 24 couches, on atteindrait 384 Go de stockage.
c'est précisé " Il s’agit ici de cumuler jusqu’à 24 cellules en couches verticales" mais différemment
A préciser que s'il serait possible d'empiler jusqu'à 24 couches, Samsung annonce ici la production de puce à "seulement" deux couches.
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