Cette année, les Exynos sont gravés en 8nm tandis que les Snapdragon 855 et Kirin 980 profitent d’une finesse de gravure de 7nm. Pourtant, Samsung annonce être désormais capable de graver en 5nm FinFET.

Cette année, Samsung n’a pas profité du contrat de Qualcomm comme c’était le cas pour le Snapdragon 845. Le Snapdragon 855 a été produit par TSMC et gravé en 7nm. HiSilicon aussi a pu produire sa puce Kirin 980 avec cette finesse de gravure.

Mais le géant coréen a eu un peu de retard, faisant que l’Exynos 9820 a été gravé en 8nm. Pour autant, la marque annonce aujourd’hui être fin prête à passer à l’étape suivante.

Samsung est prêt pour la gravure 5nm

Sur son site officiel, Samsung annonce en effet être prêt à graver en 5nm FinFET. Ou plus précisément : il a complété le développement de la technologie, et est capable de produire les premiers échantillons de puces gravées de la sorte.

Cette finesse de gravure promet d’offrir une amélioration de 25% de puissance par aire d’utilisation équivalente sur la puce, ainsi que 20% de consommation énergétique en moins ou 10% de puissance brute en plus. De plus, la gravure en 5nm réutilise les mêmes technologies que la 7nm, faisant que les partenaires de Samsung pourront développer plus rapidement leurs produits.

Des progrès en EUV

Cependant, ne vous attendez pas à voir un SoC en 5nm FinFET de si tôt. Côté production, Samsung annonce être prêt à produire en masse en gravure 7nm, et va être capable de produire des puces totalement finalisées en 6nm.

L’actualité est donc surtout pour mettre en avant les progrès de Samsung en matière de gravure en lithographie EUV. Pour ce qui est d’une puce prête à intégrer un produit de grande consommation, il faudra encore être patient. Surtout, on attend des nouvelles de TSMC et HiSilicon, afin de pouvoir comparer les progrès de chacun.