Nvidia s’immisce de manière spectaculaire dans le développement de la mémoire flash « Next Gen »

Nvidia est partout, même dans le développement de la prochaine génération de modules NAND, ces puces de mémoire flash que l’on retrouve notamment sur les SSD. On apprend cette semaine du Seoul Economic Daily que Samsung Electronics s’est associé à Nvidia pour accélérer la mise au point de ses puces de nouvelle génération… grâce à l’IA.

Plus précisément, les deux entreprises travaillent désormais ensemble sur un système d’intelligence artificielle capable de doper considérablement la recherche et le développement de mémoires NAND à très faible consommation énergétique, en exploitant des matériaux ferroélectriques. De leurs résultats sur ce terrain dépendront pour partie les performances de la prochaine génération de puces mémoire.

La R&D de Samsung dopée par l’IA de Nvidia

En l’occurrence, le SEDaily explique qu’une équipe de recherche conjointe composée de l’Institut de recherche en semi-conducteurs de Samsung Electronics, de Nvidia, mais aussi du Georgia Institute of Technology, a mis au point un modèle d’IA baptisé PINO (pour « Physics-Informed Neural Operator »). Ce modèle constitue une percée à lui tout seul dans le monde industriel et sur le terrain de la R&D. Et pour cause, il est capable d’analyser les performances des dispositifs NAND ferroélectriques 10 000 fois plus vite que ce que permettent les méthodes analytiques conventionnelles.

Vous comprenez maintenant pourquoi on vous parlait d’une méthode capable de « doper considérablement » la R&D en la matière.

Quant à l’utilisation de matériaux ferroélectriques pour les futures puces NAND, au lieu du traditionnel silicium, elle est particulièrement intéressante elle aussi. Ces matériaux sont en effet capables de maintenir une polarisation (comprenez la séparation des charges positives et négatives) sans alimentation électrique continue. Cela les rend donc particulièrement propices à la conception de modules NAND à très faible consommation.

Reste que l’utilisation de ces nouveaux matériaux ferroélectriques nécessite des recherches poussées pour comprendre quelles sont leurs caractéristiques précises pour l’utilisation visée (les modules NAND), quelles tensions ils peuvent supporter dans ce contexte, et quelle quantité de données ils peuvent retenir. C’est précisément pour mener à bien ces analyses que l’IA développée par Nvidia et Samsung entre en jeu.

Jusqu’à présent, les chercheurs de Samsung Electronics utilisaient la conception assistée par ordinateur, couplée à des outils d’analyse nécessitant près de 60 heures de calcul par opération. Toujours selon le Seoul Economic Daily, l’équipe de recherche de Samsung et Nvidia a réussi à réduire ce temps de traitement… à moins de 10 secondes. Comment ? En utilisant une intelligence artificielle entraînée à l’aide des inébranlables lois de la physique.

À terme, ces recherches pourraient donner lieu à la fabrication de modules de mémoire flash NAND capables de consommer jusqu’à 96 % d’énergie en moins que les modules actuels. Les retombées pourraient donc être spectaculaires pour l’industrie.