Le marché des SSD ne sera pas épargné par la pénurie des composants alors qu’on s’attend aussi à une forte hausse des prix dans les mois à venir.
Une situation d’autant plus problématique que SK Hynix a abandonné la vente de mémoire et solutions de stockage pour le grand public. Cela n’empêche cependant pas le constructeur de vouloir faire évoluer son socle technique.
Dans cette volonté d’innovation, SK Hynix vient de dévoiler une nouvelle technologie très prometteuse pour améliorer les performances et la durabilité des SSD.
La technologie Split Cell sur SSD : diviser pour mieux régner
SK Hynix s’attaque ici aux limitations de la mémoire NAND Flash classique pour en dépasser le potentiel. La firme a présenté sa nouvelle technologie Split Cell lors de l’IEDM conference de San Francisco, comme le rapporte le site Blocks and Files.
En temps normal, pour stocker 5 bits de données sur une seule cellule NAND, il faut pouvoir soutenir 32 niveaux de tension. Mais plus on ajoute de niveaux de tension, plus l’écart entre ces différents niveaux est faible. Résultat, la vitesse de lecture s’avère plus lente, la durée de vie de la cellule réduite et le risque d’erreur à cause de la fuite d’électrons bien supérieur.
La solution de SK Hynix réside dans un changement de la structure physique de la cellule, qui prend désormais une forme d’ellipse, divisée en deux moitiés indépendantes. Chaque moitié de cellule ne gère ainsi que 6 niveaux de tension. En combinant les états des deux moitiés, on obtient 36 combinaisons possibles (6×6). Comme il n’en faut que 32 pour coder 5 bits, cette méthode est largement suffisante.
De nombreux avantages, mais pas que
Mais concrètement, qu’est-ce que cela change pour le SSD ? D’une part, on peut s’attendre à de de bien meilleures performances. Comme les deux cellules sont lues simultanément, en parallèle, la vitesse de lecture est bien plus élevée. SK Hynix promet des performances 20 fois supérieures en lecture à une mémoire PLC classique.
D’autre part, sachant que chaque « demi-cellule » n’intègre que 6 niveaux de tension au lieu de 32, cela réduit le stress sur les composants et limite les erreurs.
Enfin, cette technologie permet d’augmenter la capacité de stockage de 25% par rapport à la mémoire QLC (4-bits) actuelle, sans pour autant nécessiter d’empiler plus de couches de NAND. Le souci, c’est qu’il s’agit d’un processus pour l’instant complexe, nécessitant des étapes de fabrication supplémentaires plus coûteuses.
Il s’agit donc pour le moment d’une première preuve de concept avant qu’une telle technologie puisse voir le jour dans nos SSD. Le grand public sera d’ailleurs le dernier concerné, puisque SK Hynix privilégiera d’abord ses clients entreprises.
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